Toshiba представляет МОП-транзисторы на 40 и 60 В на основе технологического процесса последнего поколения

Дюссельдорф, Германия, 23 октября 2017 г. – Компания Toshiba Electronics Europe представила новые мощные МОП-транзисторы на 40 и 60 В на основе собственного технологического процесса формирования канавки полупроводниковых устройств последнего поколения (U-MOS-IX-H).
 
МОП-транзисторы TK3R1P04PL, TK4R4P06PL и TK6R7P06PL с каналом n-типа могут управляться сигналами логического уровня 4,5 В и обладают сверхнизким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)), достигающим всего 3,1 мОм (при VGS = 10 В). Устройства выпускаются в компактных корпусах DPAK и прекрасно подходят для применения в высокоэффективных силовых преобразователях, включая преобразователи переменного тока в постоянный, преобразователи постоянного тока, источники питания и приводы электродвигателей.
 
TK3R1P04PL представляет собой МОП-транзистор на 40 В с максимальным RDS(ON) 3,1 мОм и максимальным током стока (ID) 58 А (при температуре 25 °C). TK4R4P06PL и TK6R7P06PL рассчитаны на 60 В и имеют максимальные значения RDS(ON) и ID 4,4 мОм и 58 А и 6,7мОм и 46 А соответственно.
 
Конструкция всех новых МОП-транзисторов обеспечивает работу с низким выходным зарядом для дальнейшей оптимизации эффективности и рабочих характеристик.